NVMFS5113PLT1G

Name: ON Semiconductor NVMFS5113PLT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.8 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
Date Sheet

Lagernummer 7976

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta 64A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 150W Tc
Время отключения：54 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2014
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Код соответствия REACH：not_compliant
Код JESD-30：R-PDSO-F5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Каналов количество：1
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：150W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14m Ω @ 17A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4400pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：83nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Угол настройки (макс.)：±20V
Непрерывный ток стока (ID)：-10A
Пороговое напряжение：-2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：-60V
Максимальная температура перехода (Тj)：175°C
Высота：1.1mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 7976

Итого $0.00000