(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STD12N60M2
Изображение служит лишь для справки
STD12N60M2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Date Sheet
Lagernummer 746
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：85W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：MDmesh™ M2
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Основной номер части：STD12
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：450m Ω @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：538pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Максимальный сливовой ток (ID)：9A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.45Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：36A
- Минимальная напряжённость разрушения：600V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：117 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 746
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
