R6008FNJTL

Name: ROHM Semiconductor R6008FNJTL
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.8 (20 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
Date Sheet

Lagernummer 1029

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：83
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：50W Tc
Время отключения：60 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：20 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：950m Ω @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：580pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
Время подъема：25ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：30 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Сопротивление открытого канала-макс：0.95Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：32A
Минимальная напряжённость разрушения：600V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：4.3 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1029

Итого $0.00000