(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB9NK80Z
Изображение служит лишь для справки
STB9NK80Z
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 345
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.2A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：125W Tc
- Время отключения：45 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Основной номер части：STB9N
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：125W
- Время задержки включения：20 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.8 Ω @ 2.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1138pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
- Время подъема：12ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：22 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：800V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 345
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
