FQB9N50CTM

Name: ON Semiconductor FQB9N50CTM
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.6 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet

Lagernummer 129

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов：3
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：135W Tc
Время отключения：93 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：QFET®
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：800mOhm
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：500V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：9A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：135W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：18 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：800m Ω @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1030pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：35nC @ 10V
Время подъема：65ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：64 ns
Непрерывный ток стока (ID)：9A
Пороговое напряжение：2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Напряжение пробоя стока к истоку：500V
Высота：4.83mm
Длина：10.67mm
Ширина：9.65mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 129

Итого $0.00000