(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQM40N10-30_GE3
Изображение служит лишь для справки
SQM40N10-30_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 40
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-263 (D2Pak)
- Вес：1.437803g
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：107W Tc
- Время отключения：23 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：175°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Каналов количество：1
- Распад мощности：107W
- Время задержки включения：12 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3345pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：62nC @ 10V
- Время подъема：5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：5 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：40A
- Пороговое напряжение：3V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：3.345nF
- Сопротивление стока к истоку：30mOhm
- Rds на макс.：30 mΩ
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 40
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
