(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQB34N20LTM
Изображение служит лишь для справки
FQB34N20LTM
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 59
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
- Срок поставки от производителя：4 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：2
- Вес：1.31247g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：31A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.13W Ta 180W Tc
- Время отключения：170 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：QFET®
- Опубликовано：2000
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Завершение：SMD/SMT
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：75mOhm
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный：200V
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：31A
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：3.13W
- Сокетная связка：DRAIN
- Время задержки включения：45 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：75m Ω @ 15.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3900pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：72nC @ 5V
- Время подъема：520ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：370 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：31A
- Пороговое напряжение：2V
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：200V
- Двухпитание напряжения：200V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：640 mJ
- Номинальное Vgs：2 V
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：67 pF
- Высота：4.83mm
- Длина：10.67mm
- Ширина：9.65mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 59
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
