(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STLD125N4F6AG
Изображение служит лишь для справки
STLD125N4F6AG
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Date Sheet
Lagernummer 283
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：20 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：130W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：STripFET™ F6
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STLD125
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3m Ω @ 75A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5600pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：91nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：101A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.004Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：480A
- Минимальная напряжённость разрушения：40V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 283
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
