(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные STB10N65K3
Изображение служит лишь для справки
STB10N65K3
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 650V 0.75Ohm 10A Zener-protected
Date Sheet
Lagernummer 292
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：150W Tc
- Время отключения：44 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：SuperMESH3™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Основной номер части：STB10N6
- Каналов количество：1
- Конфигурация элемента：Single
- Время задержки включения：14.5 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1 Ω @ 3.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1180pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：42nC @ 10V
- Время подъема：14ns
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：35 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：650V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 292
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
