Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ418EP-T2_GE3
Изображение служит лишь для справки






SQJ418EP-T2_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8
- Поставщик упаковки устройства:PowerPAK® SO-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:48A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:68W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:TrenchFET®
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:14mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:35nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):100V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000