(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPC055N03L3X1SA1
Изображение служит лишь для справки
IPC055N03L3X1SA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Die
- MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Date Sheet
Lagernummer 292
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：18 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：Die
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A Tj
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Bulk
- Серия：OptiMOS™
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Положение терминала：UNSPECIFIED
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-XXUC-N
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：30V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 292
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
