SI4778DY-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 5 (15 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 9171

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：15 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Вес：186.993455mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：2.4W Ta 5W Tc
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Число контактов：8
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：15 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：23m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：680pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 10V
Время подъема：50ns
Угол настройки (макс.)：±16V
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Сопротивление открытого канала-макс：0.023Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：25V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 9171

Итого $0.00000