Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC084P03NS3EGATMA1

Изображение служит лишь для справки






BSC084P03NS3EGATMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 577
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:14.9A Ta 78.6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W Ta 69W Tc
- Время отключения:33.3 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:OptiMOS™
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:no
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2.5W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:16.4 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8.4m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 110μA
- Без галогенов:Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4240pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:57.7nC @ 10V
- Время подъема:133.5ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Время падения (тип):8.1 ns
- Непрерывный ток стока (ID):14.9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками:-30V
- Максимальный импульсный ток вывода:200A
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Contains Lead
Со склада 577
Итого $0.00000