(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFB812PBF
Изображение служит лишь для справки
IRFB812PBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB
Date Sheet
Lagernummer 727
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：78W Tc
- Время отключения：24 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2008
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Сопротивление：2.2Ohm
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：78W
- Время задержки включения：14 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.2 Ω @ 2.2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：810pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Время подъема：22ns
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：17 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.6A
- Пороговое напряжение：3V
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：500V
- Время восстановления：110 ns
- Высота：16.51mm
- Длина：10.67mm
- Ширина：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 727
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
