(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIJ800DP-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIJ800DP-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- VISHAY SIJ800DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 40 V, 7.8 mohm, 10 V
Date Sheet
Lagernummer 9300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：21 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® SO-8
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® SO-8
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：4.2W Ta 35.7W Tc
- Время отключения：45 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2013
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Распад мощности：35.7W
- Время задержки включения：30 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.5mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2400pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：56nC @ 10V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：15 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：20A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Входной ёмкости：2.4nF
- Сопротивление стока к истоку：9.5mOhm
- Rds на макс.：9.5 mΩ
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 9300
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
