IRFR9N20DTRLPBF

Name: Infineon Technologies IRFR9N20DTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 713

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9.4A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：86W Tc
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2000
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：380m Ω @ 5.6A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：560pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)：200V
Угол настройки (макс.)：±30V
Код JEDEC-95：TO-252AA
Максимальный сливовой ток (ID)：9.4A
Сопротивление открытого канала-макс：0.38Ohm
Максимальный импульсный ток вывода：38A
Минимальная напряжённость разрушения：200V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：100 mJ
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 713

Итого $0.00000