(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TPC8133,LQ(S
Изображение служит лишь для справки
TPC8133,LQ(S
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：15mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 500μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2900pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：64nC @ 10V
- Время подъема：8ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -25V
- Время падения (тип)：100 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Входной ёмкости：2.9nF
- Rds на макс.：15 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
