Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS6H852NWFT1G

Изображение служит лишь для справки






NVMFS6H852NWFT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- MOSFET N-CH 80V 5DFN
Date Sheet
Lagernummer 407
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN, 5 Leads
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10A Ta 40A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.6W Ta 54W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:14.2m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 45μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:760pF @ 40V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:13nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):80V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 407
Итого $0.00000