(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Изображение служит лишь для справки
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3
Date Sheet
Lagernummer 1091
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов：3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：27W Tc
- Рабочая температура：175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：2009
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：104m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：890pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19nC @ 10V
- Время подъема：6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
- Время падения (тип)：34 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 1091
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
