Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RXH125N03TB1

Изображение служит лишь для справки






RXH125N03TB1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 1325
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12.5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2W Ta
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12m Ω @ 12.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1000pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:12.7nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):12.5A
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 1325
Итого $0.00000