TP5322N8-G

Name: Microchip Technology TP5322N8-G
Brand: Microchip Technology
Rating: 4.9 (6 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-243AA
MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm3 SOT-89T/R
Date Sheet

Lagernummer 44

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：18 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-243AA
Количество контактов：4
Вес：52.786812mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：260mA Tj
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：1.6W Ta
Время отключения：20 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：12Ohm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Код JESD-30：R-PSSO-F3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.6W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：10 ns
Тип ТРВ：P-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12 Ω @ 200mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：110pF @ 25V
Время подъема：15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：220V
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-260mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：0.26A
Напряжение пробоя стока к истоку：-220V
Максимальный импульсный ток вывода：0.9A
Высота：1.6mm
Длина：4.6mm
Ширина：2.6mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 44

Итого $0.00000