Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXFN32N100Q3

Изображение служит лишь для справки






IXFN32N100Q3
-
IXYS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-227-4, miniBLOC
- MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
Date Sheet
Lagernummer 3289659
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:30 Weeks
- Монтаж:Chassis Mount, Panel
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SOT-227-4, miniBLOC
- Количество контактов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:28A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:780W Tc
- Время отключения:54 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:HiPerFET™
- Опубликовано:2012
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:780W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Время задержки включения:45 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:320m Ω @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:6.5V @ 8mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9940pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:195nC @ 10V
- Время подъема:300ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):1000V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Непрерывный ток стока (ID):28A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.32Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:1kV
- Максимальный импульсный ток вывода:96A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
- Высота:9.6mm
- Длина:38.23mm
- Ширина:25.07mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 3289659
Итого $0.00000