Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMT67M8LCGQ-7
Изображение служит лишь для справки






DMT67M8LCGQ-7
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET 61V~100V V-DFN3333-8
Date Sheet
Lagernummer 42
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:28 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:16A Ta 64.6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния:900mW Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.7m Ω @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2130pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:37.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 42
Итого $0.00000