Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQB13N06LTM

Изображение служит лишь для справки






FQB13N06LTM
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:13.6A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.75W Ta 45W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:QFET®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:110m Ω @ 6.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:350pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:6.4nC @ 5V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):13.6A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.14Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:54.4A
- Минимальная напряжённость разрушения:60V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):90 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000