Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD50R1K4CEBTMA1

Изображение служит лишь для справки






IPD50R1K4CEBTMA1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства:PG-TO252-3
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:3.1A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):13V
- Максимальная мощность рассеяния:25W Tc
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:CoolMOS™ CE
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.4Ohm @ 900mA, 13V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 70μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:178pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):500V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000