(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC240N12NS3 G
Изображение служит лишь для справки
BSC240N12NS3 G
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-1
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：37A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：66W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：24mOhm @ 31A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 35μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1900pF @ 60V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：27nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：120V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Состояние RoHS：Non-RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
