(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPD50R3K0CEBTMA1
Изображение служит лишь для справки
IPD50R3K0CEBTMA1
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：6 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.7A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：13V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：18W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Серия：CoolMOS™ CE
- Опубликовано：2013
- Безоловая кодировка：no
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：2
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3 Ω @ 400mA, 13V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 30μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：84pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.7A
- Сопротивление открытого канала-макс：3Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：4.1A
- Минимальная напряжённость разрушения：500V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：18 mJ
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
