(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQI32N12V2TU
Изображение служит лишь для справки
FQI32N12V2TU
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：32A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：3.75W Ta 150W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：QFET®
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：SINGLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1.86pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：53nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：120V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Максимальный сливовой ток (ID)：32A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.05Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：128A
- Минимальная напряжённость разрушения：120V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：439 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
