(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB80N06S4L05ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB80N06S4L05ATMA1
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：107W Tc
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.8mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 60μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8.18pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
