Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDU8882

Изображение служит лишь для справки






FDU8882
-
Rochester Electronics, LLC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12.6A Ta 55A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:55W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Серия:PowerTrench®
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Конечная обработка контакта:MATTE TIN
- Положение терминала:SINGLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус:COMMERCIAL
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:11.5m Ω @ 35A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1.26pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:33nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):35A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.015Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):41 mJ
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000