(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF7416GTRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7416GTRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Date Sheet
Lagernummer 573
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Поставщик упаковки устройства：8-SO
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W Ta
- Время отключения：59 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：2011
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：2.5W
- Время задержки включения：18 ns
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20mOhm @ 5.6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：92nC @ 10V
- Время подъема：49ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Время падения (тип)：60 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：10A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
- Входной ёмкости：1.7nF
- Сопротивление стока к истоку：20mOhm
- Rds на макс.：20 mΩ
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 573
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
