SIS434DN-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SIS434DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (19 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
PowerPAK® 1212-8
VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - MOSFET, N-KANAL, 40V, 35A, POWERPAK
Date Sheet

Lagernummer 20744

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：35A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：3.8W Ta 52W Tc
Время отключения：40 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2015
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：7.6mOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：3.8W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：30 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.6m Ω @ 16.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1530pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：40nC @ 10V
Время подъема：25ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：20 ns
Непрерывный ток стока (ID)：35A
Пороговое напряжение：2.2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Максимальный импульсный ток вывода：60A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
REACH SVHC：Unknown
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 20744

Итого $0.00000