Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SQJ459EP-T1_GE3

Изображение служит лишь для справки






SQJ459EP-T1_GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® SO-8
- MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8
Date Sheet
Lagernummer 62054
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:PowerPAK® SO-8
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:52A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:83W Tc
- Время отключения:88 ns
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- Опубликовано:2017
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:4
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:83W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:12 ns
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:18m Ω @ 3.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4586pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:108nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):-52A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Напряжение пробоя стока к истоку:-60V
- Максимальный импульсный ток вывода:200A
- Рейтинг энергии лавины (Eas):80 mJ
- Максимальная температура перехода (Тj):175°C
- Высота:1.267mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 62054
Итого $0.00000