Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные AO4407A

Изображение служит лишь для справки






AO4407A
-
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 36000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:12A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):6V 20V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.1W Ta
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:8
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:3.1W
- Тип ТРВ:P-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:11m Ω @ 12A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2600pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:39nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Угол настройки (макс.):±25V
- Непрерывный ток стока (ID):12A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):25V
- Минимальная напряжённость разрушения:30V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 36000
Итого $0.00000