(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISHA10DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISHA10DN-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- PowerPAK® 1212-8SH
- N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 2037
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：14 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8SH
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8SH
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A Ta 30A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V 10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.6W Ta 39W Tc
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET® Gen IV
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.7mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2425pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：51nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：+20V, -16V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2037
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
