(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RQ3P300BETB1
Изображение служит лишь для справки
RQ3P300BETB1
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- RQ3P300BE IS A POWER MOSFET WITH
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A Ta 36A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：2W Ta 32W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Состояние изделия：Last Time Buy
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：S-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：21m Ω @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 200μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1250pF @ 50V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：19.1nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：36A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.021Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода：40A
- Минимальная напряжённость разрушения：100V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：39 mJ
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
