Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDB24AN06LA0
Изображение служит лишь для справки
FDB24AN06LA0
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 7100
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Supplier Device Package：TO-263AB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7.8A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V 10V
- Power Dissipation (Max)：75W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2004
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：175°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：36A
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：75W
- FET Type：N-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：19mOhm @ 40A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1850pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 5V
- Rise Time：101ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：60V
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：49 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Input Capacitance：1.85nF
- Drain to Source Resistance：20mOhm
- Rds On Max：19 mΩ
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 7100
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты