Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные ZVN0124ASTOA
Изображение служит лишь для справки
ZVN0124ASTOA
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- E-Line-3
- MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
Date Sheet
Lagernummer 1867
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：E-Line-3
- Weight：453.59237mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：160mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：700mW Ta
- Turn Off Delay Time：16 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：240V
- Terminal Form：WIRE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：160mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSIP-W3
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：700mW
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：16 Ω @ 250mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 1mA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：85pF @ 25V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：160mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：240V
- Height：4.01mm
- Length：4.77mm
- Width：2.41mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
Со склада 1867
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты