Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APTC60SKM35T1G

Изображение служит лишь для справки






APTC60SKM35T1G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SP1
- Trans MOSFET N-CH 600V 72A 12-Pin Case SP-1
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SP1
- Количество контактов:1
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:72A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:416W Tc
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2007
- Код JESD-609:e1
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:12
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:12
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:416W
- Сокетная связка:ISOLATED
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:35m Ω @ 72A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.9V @ 5.4mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:14000pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:518nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):600V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Непрерывный ток стока (ID):72A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.035Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:200A
- Минимальная напряжённость разрушения:600V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000