Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APTM120UM95FAG
Изображение служит лишь для справки






APTM120UM95FAG
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SP6
- MOSFET N-CH 1200V 103A SP6
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Chassis Mount, Screw
- Вид крепления:Chassis Mount
- Корпус / Кейс:SP6
- Количество контактов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:103A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:2272W Tc
- Рабочая температура:-40°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:2
- Код JESD-30:R-PUFM-X2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:114m Ω @ 51.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 15mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:30900pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:1122nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):1200V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Непрерывный ток стока (ID):103A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):3000 mJ
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 0
Итого $0.00000