Изображение служит лишь для справки

IRFR4104TRPBF

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Материал наружного корпуса:1
  • Пакет:miniature - U size
  • Temperature stability:temperature characteristic ± 30 ppm (-20…+70 °C)
  • Long term frequency stability (aging):max. ± 5 ppm/ year
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Transferred
  • Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
  • Код упаковки компонента:TO-252AA
  • Описание пакета:LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
  • Максимальный ток утечки (ID):42 A
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Mfr:ams-OSRAM USA INC.
  • Серия:Power TOPLED®
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Состояние изделия:Active
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:HC49 series quartz resonator
  • Сопротивление:ESR max - 50 Ohm
  • Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
  • Капацитивность:20 pF
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Глубина:package - 10.2 max; full - 11.05 max mm
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Частота:2.4576 MHz
  • Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSSO-G2
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-252AA
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0055 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:480 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):145 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):140 W
  • Ток насыщения:1
  • Высота:13.2 (package) mm
  • Ширина:package - 3.7 max; full - 4.65 max mm

Со склада 0

Итого $0.00000