SI7972DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7972DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 5 (19 reviews)

Lagernummer 42239

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：28 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Материал：100% polyamide
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：2
Характеристика：length - 150 mm; width - 12 mm; color white
Purpose：assembly and fastening of cable harnesses, cables
Maximum coverage：50 mm
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：8 A
Температура работы-Макс：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Время отключения макс. (toff)：45 ns
Время включения макс. (ton)：55 ns
Серия：R-GAGE® K50R
Пакетирование：Box
Рабочая температура：-40°C ~ 60°C
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：Hook-and-loop fastener 150x12 mm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Цвет：white
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PDSO-F6
Выводной тип：NPN, PNP
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип датчика：Radar Sensor
Сопротивление открытого канала-макс：0.018 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：40 A
Минимальная напряжённость разрушения：60 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：22 W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：20 pF
Ток насыщения：1
Характеристики：possibility of reassembly
Ширина：12 mm
Длина：150 mm

Со склада 42239

Итого $0.00000