MGFS45V2735

Name: Mitsubishi Electric MGFS45V2735
Brand: Mitsubishi Electric
Rating: 4.5 (7 reviews)

Mitsubishi Electric
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-38, 2 PIN
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：GALLIUM ARSENIDE
Материал наружного корпуса：1
Gross Weight：5.08
Сокет：DIL14
Потребляемая мощность：20 mA
Rise/fall time：5 ns
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Максимальный ток утечки (ID)：8 A
Температура работы-Макс：175 °C
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Серия：R-GAGE® K50R
Пакетирование：Box
Рабочая температура：-40°C ~ 60°C
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：Quartz Generator HCMOC/TTL
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Глубина：20.4 mm
Код соответствия REACH：unknown
Частота：20000 MHz
Число контактов：2
Код JESD-30：R-CDFM-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Выводной тип：NPN, PNP
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：DEPLETION MODE
Сокетная связка：SOURCE
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип датчика：Radar Sensor
Минимальная напряжённость разрушения：10 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W
Высота：5.4 mm
Ширина：12.8 mm

Со склада 0

Итого $0.00000