Изображение служит лишь для справки
FLM1213-4F
- FUJITSU Semiconductor Limited
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал - изоляция:Polyamide (PA), Nylon
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:GALLIUM ARSENIDE
- Материал наружного корпуса:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA INC
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
- Код упаковки производителя:CASE IA
- Максимальный ток утечки (ID):1.3 A
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Cable:RG174
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Active
- Код ECCN:EAR99
- Тип:Ground, Earth
- Количество должностей:2
- Цвет:Green, Yellow
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:4
- Стиль заканчивания:Push In, Spring
- Код JESD-30:R-CDFM-F2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Поларизация:vertical
- Импеданс:50 Ohm
- Уровней:1
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:SOURCE
- Архитектура:8.2mm
- Диаметр провода или диапазон - AWG:8-20 AWG
- Ширина полосы:90/280 MHz
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Диаметр провода или диапазон - мм²:0.5-10mm²
- Увеличение:3 dBi
- Длина отжига:10mm ~ 12mm
- Минимальная напряжённость разрушения:15 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Частотная полоса наивысшего режима:KU BAND
- Высота:85 mm
- Ширина:Ф30 mm
- Рейтинг горючести материала:UL94 V-0
Со склада 0
Итого $0.00000