Изображение служит лишь для справки
IRFB11N50APBF
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 71
- 1+： $1.67942
- 10+： $1.58435
- 100+： $1.49467
- 500+： $1.41007
- 1000+： $1.33025
Zwischensummenbetrag $1.67942
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks, 5 Days
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Максимальный ток утечки (ID)：11 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.52 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：44 A
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：275 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：170 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：8.1 pF
Со склада 71
- 1+： $1.67942
- 10+： $1.58435
- 100+： $1.49467
- 500+： $1.41007
- 1000+： $1.33025
Итого $1.67942
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты