Изображение служит лишь для справки
SQJ500AEP-T1_GE3
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor,
- Date Sheet
Lagernummer 21042
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:20 Weeks
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал:Zinc alloy
- Вес:0.26 kg
- Количество терминалов:4
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:2
- Gross Weight:171.00
- Operating ambient temperature:-25 to +60 °C
- Purpose:fastening element for connecting metal conduit of MP series to housing equipment
- Класс защиты:IP54
- Материал герметизации:Oil-resistant rubber
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета:SO-8L, 4 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):30 A
- Температура работы-Макс:175 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):49 ns
- Время включения макс. (ton):30 ns
- Код ECCN:EAR99
- Тип:MB series entry coupling
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Глубина:55.6 mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PSSO-G4
- Конфигурация:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0092 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:120 A
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):35 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):48 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):111 pF
- Диаметр:(d1) - G 2"; through hole (D) - 62 mm; casing (D1) - 70 mm
- Длина:55.6 mm
Со склада 21042
Итого $0.00000