SI7101DN-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SI7101DN-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Rating: 4.8 (14 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Description: Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
Date Sheet

Lagernummer 156300

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Совместимость：10P8C plug
Switching cycles (electrical)：≥750
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Максимальный ток утечки (ID)：35 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：SQUARE
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Pure Matte Tin (Sn) - annealed
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Глубина：15.75
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：S-PDSO-C5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.0072 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：80 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток насыщения：1
Характеристики：indication
Контакты：phosphor bronze
Высота：13.1
Ширина：126.75

Со склада 156300

Итого $0.00000