SIRA00DP-T1-GE3

Name: Vishay Intertechnologies SIRA00DP-T1-GE3
Brand: Vishay Intertechnologies
Price: 1.642897 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (10 reviews)

Vishay Intertechnologies
Транзисторы - Специального назначения
-
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 30V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Date Sheet

Lagernummer 71

1+： $1.64290
10+： $1.54990
100+： $1.46217
500+： $1.37941
1000+： $1.30133

Zwischensummenbetrag $1.64290

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Поверхностный монтаж：YES
Материал：Polyolefin
Количество терминалов：5
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал наружного корпуса：1
Рохс Код：Yes
Код цикла жизни компонента：Not Recommended
Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, POWERPAK, SOP-8
Максимальный ток утечки (ID)：100 A
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Shrinkage before diameter：4.0 mm
Shrinkage after diameter：2.0 mm
Thickness after shrinkage：0.45 mm
Код JESD-609：e3
Код ECCN：EAR99
Тип：Tubular non-supporting combustion heat shrinkable tube
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Цвет：blue
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Код JESD-30：R-PDSO-C5
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.001 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：400 A
Минимальная напряжённость разрушения：30 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：125 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Ток насыщения：1
Длина：1 m

Со склада 71

1+： $1.64290
10+： $1.54990
100+： $1.46217
500+： $1.37941
1000+： $1.30133

Итого $1.64290