Изображение служит лишь для справки
BSH205G2R
- NXP Semiconductors
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- BSH205G2 - 20 V, P-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Glue:high-adhesion glue
- Type of integrated circuit:interface
- Kind of integrated circuit:digital isolator
- Data transfer rate:150Mbps
- Монтаж:SMD
- Case:SOP8
- Kind of channel:unidirectional
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Код упаковки компонента:TO-236
- Описание пакета:ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
- Код упаковки производителя:SOT23
- Максимальный ток утечки (ID):2 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Тип:Polyimide tape single-sided
- Цвет:yellow metallic
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Нормативная Марка:AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.17 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристики:dismantling at a temperature of 260 - 300 °C without a trace
- Ширина:50 mm
- Толщина:0.05 mm
Со склада 0
Итого $0.00000