Изображение служит лишь для справки
IRF9630S
- Vishay Intertechnologies
- Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Описание пакета:SMD-220, 3 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):6.5 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Номинальное напряжение:AC: 250/125 V
- Номинальный ток:5 A
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN LEAD
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Глубина:28 (body) mm
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.8 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:26 A
- Минимальная напряжённость разрушения:200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):500 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):74 W
- Высота:16 mm
- Ширина:10.5 mm
Со склада 0
Итого $0.00000